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BSZ165N04NS G /MOSFET N-Ch 40V 31A TSDSON-8 OptiMOS 3
BSZ165N04NS G的规格信息
BSZ165N04NS G的图片

图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:Infineon

产品种类:MOSFET

RoHS:

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:TSDSON-8

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:40 V

Id-连续漏极电流:31 A

Rds On-漏源导通电阻:13.8 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:2 V

Vgs - 栅极-源极电压:20 V

Qg-栅极电荷:10 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:25 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

商标名:OptiMOS

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

高度:1.1 mm

长度:3.3 mm

系列:OptiMOS 3

晶体管类型:1 N-Channel

宽度:3.3 mm

商标:Infineon Technologies

正向跨导 - 最小值:12 S

下降时间:2.2 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:1 ns

工厂包装数量:5000

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:6.8 ns

典型接通延迟时间:5.4 ns

零件号别名:BSZ165N04NSGATMA1 BSZ165N4NSGXT SP000391523

供应商BSZ165N04NS G
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深圳市威雅利发展有限公司BSZ165N04NS G 其他被动元件华强北路1019号华强广场A16楼18124047120
18124047120
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深圳市瑞浩芯科技有限公司BSZ165N04NS G深圳市福田区上步工业区501栋11030755-84875764
”13725596657“17503034873
曾先生Email:1153689911@qq.com询价
深圳市安富世纪电子有限公司BSZ165N04NS G深圳市福田区中航路都会轩24060755-82573210
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